Buch: Intrinsic Point Defects, Impurities, and Their Diffusion in Silicon
Intrinsic Point Defects, Impurities, and Their Diffusion in Silicon
Computational Microelectronics
P. Pichler
2004, XXI, 554 p. S., 40 SW-Abb. 254 mm, Hardcover
Sprache: Englisch
Springer, Wien
ISBN 978-3-211-20687-4

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Hardcover
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Fraunhofer IISB, silicon, dopant, point defects, agglomerate, diffusion,

 

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