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Christian Haupt
AlGaN/GaN-based millimeter-wave high electron mobility transistors
Science for Systems, Band 3
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2011, 197 S., num. mostly col. illus., Softcover
Fraunhofer Verlag
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AlGaN/GaN-based millimeter-wave high electron mobility transistors
Science for Systems, Band 3
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2011, 197 S., num. mostly col. illus., Softcover
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Taek Lim
Ternäre und quaternäre Barrierenmaterialien für nitridische Heterostruktur-Feldeffekttransistoren
Science for Systems, Band 4
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2011, 168 S., zahlr. farb. Abb. u. Tab., Softcover
Fraunhofer Verlag
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Ternäre und quaternäre Barrierenmaterialien für nitridische Heterostruktur-Feldeffekttransistoren
Science for Systems, Band 4
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2011, 168 S., zahlr. farb. Abb. u. Tab., Softcover
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Jutta Kühn
AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications
Karlsruher Forschungsberichte aus dem Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik Bd.62, Band 62
2011, XI, 259 p. S., w. figs. 210 mm, Softcover
KIT Scientific Publishing
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AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications
Karlsruher Forschungsberichte aus dem Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik Bd.62, Band 62
2011, XI, 259 p. S., w. figs. 210 mm, Softcover
KIT Scientific Publishing
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