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Birte-Julia Godejohann
GaN-based High Electron Mobility Transistors with high Al-content barriers
Science for Systems, Band 36
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2018, 156 S., num., mostly col. illus. and tab., Softcover
Fraunhofer Verlag
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GaN-based High Electron Mobility Transistors with high Al-content barriers
Science for Systems, Band 36
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2018, 156 S., num., mostly col. illus. and tab., Softcover
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R. Grisar, G. Schmidtke, M. Tacke, G. Restelli
Monitoring of Gaseous Pollutants by Tunable Diode Lasers
Air Pollution Research Reports
Proceedings of the International Symposium held in Freiburg, F.R.G. 17-18 October 1988
1989, 316 S., 236 mm, Hardcover
Springer Netherlands
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Monitoring of Gaseous Pollutants by Tunable Diode Lasers
Air Pollution Research Reports
Proceedings of the International Symposium held in Freiburg, F.R.G. 17-18 October 1988
1989, 316 S., 236 mm, Hardcover
Springer Netherlands
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