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Lock-in Thermography
Basics and Use for Evaluating Electronic Devices and Materials
3., Aufl.
2019, xxi, 321 S., XXI, 321 p. 126 illus., 68 illus. in color. 235 mm, Hardcover
Springer
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Basics and Use for Evaluating Electronic Devices and Materials
3., Aufl.
2019, xxi, 321 S., XXI, 321 p. 126 illus., 68 illus. in color. 235 mm, Hardcover
Springer
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Birte-Julia Godejohann
GaN-based High Electron Mobility Transistors with high Al-content barriers
Science for Systems, Band 36
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2018, 156 S., num., mostly col. illus. and tab., Softcover
Fraunhofer Verlag
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GaN-based High Electron Mobility Transistors with high Al-content barriers
Science for Systems, Band 36
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2018, 156 S., num., mostly col. illus. and tab., Softcover
Fraunhofer Verlag
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