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Birte-Julia Godejohann
GaN-based High Electron Mobility Transistors with high Al-content barriers
Science for Systems, Band 36
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2018, 156 S., num., mostly col. illus. and tab., Softcover
Fraunhofer Verlag
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GaN-based High Electron Mobility Transistors with high Al-content barriers
Science for Systems, Band 36
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2018, 156 S., num., mostly col. illus. and tab., Softcover
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Chunyu Wang
Metal organic chemical vapor deposition of indium oxide for ozone sensing
Science for Systems, Band 2
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2011, 164 S., zahlr. farb. Abb. u. Tab., Softcover
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Metal organic chemical vapor deposition of indium oxide for ozone sensing
Science for Systems, Band 2
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2011, 164 S., zahlr. farb. Abb. u. Tab., Softcover
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Markus Maier
Effizienz von GaInN-Leuchtdioden: Struktur aktiver Schichten unter dem Einfluss substratinduzierter Defekte
Science for Systems, Band 1
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2010, 172 S., zahlr. farb. Abb. u. Tab., Softcover
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Effizienz von GaInN-Leuchtdioden: Struktur aktiver Schichten unter dem Einfluss substratinduzierter Defekte
Science for Systems, Band 1
Hrsg.: Oliver Ambacher; Fraunhofer IAF, Freiburg
2010, 172 S., zahlr. farb. Abb. u. Tab., Softcover
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