Physikalisch-chemische Eigenschaften von SiO2-Schichten auf plasmabehandelten Siliziumoberflächen
Berichte aus Forschung und Entwicklung IST, Band 34
Benedikt Michel
Hrsg.: Fraunhofer IST, Braunschweig
2011, 201 S., zahlr., z. T. farb. Abb. u. Tab., Softcover
Braunschweig, TU, Diss., 2011
Fraunhofer Verlag
ISBN 978-3-8396-0319-2

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Inhalt
Die Verkapselung von Mikrosystemen auf Waferebene durch das Substratbonden stellt einen wesentlichen Beitrag zur Rationalisierung des MEMS-Herstellungsprozesses dar. Der Einsatz des Direktbondens ist hierbei gegenüber anderen Bondverfahren insofern vorteilhaft, als dass keine zusätzlich aufzubringenden Adhäsivschichten erforderlich sind. Durch eine geeignete Plasmaaktivierung der Oberflächen vor dem Bonden können bei 200 °C Annealingtemperatur bereits ausreichend hohe Bondfestigkeiten für die industrielle Anwendung erreicht werden.
In dieser Arbeit werden Veränderungen chemischer und physikalischer Eigenschaften der nativen Siliziumoxidschicht unter Einfluss eines Atmosphärendruckplasmas (i.e. einer dielektrisch behinderten Entladung, DBD) untersucht.

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