Oberflächen-Passivierung von kristallinem Silicium durch Aluminiumoxid
Solare Energie- und Systemforschung / Solar Energy and Systems Research
Saskia Kühnhold-Pospischil
Hrsg.: Fraunhofer ISE
2018, 199 S., zahlr. Abb. u. Tab., Softcover
Freiburg, Univ., Diss., 2016
Fraunhofer Verlag
ISBN 978-3-8396-1253-8

zur Open Access Version

Inhalt
Amorphe Al2O3-Schichten eignen sich hervorragend zur Passivierung kristalliner Si-Oberflächen, was insbesondere in der Photovoltaik zu einem enormen Anstieg der Solarzellen-Effizienz führen kann. In der vorliegenden Arbeit wurden die genauen physikalischen Ursachen der Passiviereigenschaften von Al2O3-Schichten untersucht. Dazu wurden Temperatur-induzierte Aktivierungs- und Degradations-Phänomene von Si/SiO2/Al2O3-Proben analysiert. Unter Anderem wurde so ein Modell zur Beschreibung des Phänomens Blistering erstellt, die Aktivierungsenergie der negativen Grenzflächen-Ladungsträger bestimmt und mit dem Si-db ein Defekt identifiziert, welcher wesentlich zur Rekombination von Minoritätsladungsträgern an der Si/ Al2O3-Grenzfläche beiträgt.

Verfügbare Formate